お知らせ

１２月９日（日）
口頭講演（午後）
13:00 13:15 G-01-I Ｘ線・中性子反射率法：　最近の進歩と将来展望 ○桜井健次、水沢まり、石井真史（物材機構）
13:15 13:30 G-02-I 金属、半導体材料微細組織評価へのGISAXSの応用 ○奥田浩司(京大工）、久野啓志（京大院）、落合庄治郎（京大工）、伊藤和輝（理研SP8)、佐々木園（JASRI,SP8)、田渕雅夫（名古屋大VBL)、竹田美和（名古屋大工）
13:30 13:45 G-03-I 微小角入射Ｘ線小角散乱による表面ナノ構造の解析 ○表　和彦、伊藤義泰（リガク）
13:45 14:15 G-04-I 中性子光学とその応用 ○清水裕彦(高エネルギー加速器研究機構)
14:15 14:45 G-05-I 中性子小角散乱法によるナノ構造解析 ○鈴木淳市（原子力機構）
14:45 15:00 G-06-I 窒化物半導体の埋もれたヘテロ構造 ○竹田美和、田渕雅夫
15:00 15:20 休憩
15:20 15:35 G-07-I 磁性流体薄膜に顕れる層状構造の観察 ○高橋功、中林史智、北原周（関学大・理工）
15:35 15:50 G-08-I-G イントロダクトリートーク：Ｘ線による表面・界面構造解析における位相問題 ― 最近の進展より ○矢代航(東大院・新領域)
15:50 16:20 G-09-I CTR散乱を利用した表面界面原子の３次元再構成 ○高橋敏男（東大・物性研）
16:20 16:50 G-10-I-G 表面Ｘ線回折における位相問題の研究 ○田尻寛男（高輝度研）
16:50 17:05 G-11-I 斜入射条件下におけるX線定在波線法を用いたモデルフリー構造解析 ○林　好一（東北大・金研）、竹中久貴(NTT-AT)
17:05 17:20 G-12-I X線および中性子散乱法によるラフトモデル膜の機能構造の解明 〇平井光博（群大院・工）
17:20 17:35 G-13-I 放射光と中性子を用いたソフトマターの表面・界面構造解析 ○高原　淳、本田幸司、穂坂　直、寺山友規、小林元康（九大・先導研、工学府）、佐々木園（JASRI)、鳥飼直也(KENS)、日野正裕（RRI,京大）

ポスター発表（午前）
G-P01 自由電子レーザ内部光電子分光法により評価された高温超伝導ギャップエネルギー ○西　和久（豊橋技科大）、粟津邦男、堀池　寛（阪大・工）
G-P02 金属/Y2O3界面における原子スケールの固体化学反応のＸ線反射率測定 ○石井真史（物材機構）、中尾愛子（理研）、桜井健次（物材機構）
G-P03-M X線回折法による形状記憶合金Au(50.5)Cd(49.5)の時間的・空間的ゆらぎの研究 ○吉川通典、菊間元気、寺内暉、高橋功（関西学院大学理工学部物理学科）
G-P04-M 実験室系のX線回折装置による半導体へテロ界面のX線CTR散乱測定 〇前田 義紀、水野 哲也、森 晶子、竹田 美和(名大院・工)、田渕 雅夫(名大・VBL)
G-P05-M 埋め込まれたInAsナノドットのGI-SAXSを用いた構造解析 ○久野啓志、大高幹雄、中野聡志(京大院・工　院生)、奥田浩司、落合庄治郎(京大・工)、則竹陽介、鈴木裕史(名大院・工　院生)、竹田美和(名大・工)、田渕雅夫(名大VBL)
G-P06 自己形成Ge/Si(001)ドットのその場X線回折 〇花田　貴(東北大・金研)、 田尻寛男、 坂田修身(JASRI)、 隅谷和嗣(九州シンクロトロン)、 嶺岸　耕(東北大・学際)、 ライアン　バックマスター(東北大・金研)、 八百隆文(東北大・学際)
G-P07 全反射X線回折を用いた極薄SGOI薄膜の歪み解析 ○川村朋晃、尾身博雄（NTT物性基礎研）、水牧仁一郎、木村滋（高輝度光科学研究センター）
G-P08-M 極端に非対称なX線回折法によるシリコン高圧酸化膜界面の格子歪評価 ○吉田広徳、伊藤勇希、秋本晃一（名大・工）
G-P09-G 位相敏感Ｘ線回折法によるKr/O2プラズマ酸化SiO2/Si(111)界面下のひずみの測定 ○矢代航（東大院・新領域）、依田芳卓（JASRI）、高橋健介、服部健雄（武蔵工大・工）、山本雅士（東北大・未来センター）、三木一司（物材機構）
G-P10-G 格子不整合の大きい系における埋もれた水素、重水素ヘテロ界面構造 〇山崎竜也、朝岡秀人、武田全康、山崎大、田口富嗣、 社本真一（原子力機構）、鳥飼直也（高エ機構）、豊島安健（産総研）
G-P11-G 結晶化中のSi(110)上のBi4-xLaxTi3O12薄膜における選択配向の形成 ○田尻恭之、泊博幸、石津文武（福岡大・理）、香野淳（福岡大・理、ハーバード大）
G-P12-G シリコンに埋め込まれたビスマス細線からの透過Ｘ線回折 ○田尻寛男（高輝度研）、矢代航（東大・新領域）、坂田修身（高輝度研）、坂本邦博（産総研）、三木一司（物材機構）
G-P13-G 埋め込みBi原子細線からのＸ線回折 ― Bi L32p3/2 吸収端付近の強度変化 ○矢代航（東大院・新領域）、坂田修身（JASRI）、坂本邦博（ナノエレ・産総研）、三木一司（物材機構）
G-P14 Si キャップ層　有無　のBi 原子ワイヤのX線逆格子イメージ ○坂田修身、矢代航（東大）、坂本（産総研）、三木一司（物材）
G-P15-M X線回折によるSi(111)-1x1 and 2x2-Fe界面構造の研究 ○関口浩司、岩沢勇作、ヴォルフガング フォグリ、白澤徹郎、高橋敏男（東大物性研）、服部　賢（奈良先端物質創成、CREST-JST）、服部　梓（奈良先端物質創成）、若林裕助（高エ研）
G-P16 定在波を用いたX線MCDによるFe/Si多層膜界面の研究 佐藤功典、菅原真幸、豊田光紀、羽多野忠、○柳原美広(東北大･多元研)
G-P17-G GIXDを利用したサファイア窒化表面分析 ○李孝鍾、河俊碩、李錫雨、李賢宰、後藤裕輝、李常賢（東北大・ 学際科学国際高等研究センター ）、嶺岸耕、花田貴、曺明煥、八百隆文(東北大・金属材料研）、洪淳玖（韓国・忠南大）、坂田修身（JASRI・SPring-8)
G-P18-G 超平坦サファイアC面上に湿式法で作製したシュウ酸鉄錯体膜の構造評価 ○春木理恵、坂田修身、山田鉄兵、金井塚勝彦、秋田泰志、吉本護、北川宏
G-P19-G 表面X線回折によるNi(111)-OおよびPt(211)表面上の水分子の構造 ○中村将志、星永宏（千葉大院?工）、伊藤正時（慶大?理工）、坂田修身（SPring-8）
G-P20 中性子反射率測定による水界面における高分子電解質ブラシの構造解析 ○小林 元康（九大・先導研）, 穂坂 直（九大院・工）, 寺山 友規（九大院・工）, 松田 靖弘（九大・先導研）, 鳥飼 直也（KEK）, 日野 正裕（京大・原子炉）, 石原 一彦（東大院・工）, 高原 淳（九大・先導研）
G-P21-B 気/水界面でのSDS、n-ドデカノール、およびそれらの混合膜の構造評価 ○赤羽千佳、飯村兼一（宇都宮大工）、山田真爾（花王（株））、ゲラルド　ブレゼジンスキイ（マックスプランク研究所）
G-P22-M 視斜角入射X線回折による表面グラフト化フルオロアクリレート系ポリマー薄膜の分子鎖凝集構造解析 ○山口央基、本田幸司(九大院工)、小林元康(九大先導研)、森田正道(ダイキン工業)、坂田修身、佐々木園((財)高輝度光科学研究センター(JASRI))、高原　淳(九大院工、九大先導研)
G-P23-M X線回折を用いたカカオバターの表面における新しい多型現象の研究 〇林裕介、魚崎嘉仁、寺内暉、高橋功(関学大・理工)
G-P24-G X線小角散乱法による鉄内包フェリチンの構造評価 〇伊藤　義泰、表　和彦（（株）リガク）、山嵜　明（明大・理工）
G-P25-G 金属材料のナノ構造解析のためのコヒーレントＸ線回折顕微法の開発 ○高橋幸生、古川隼人(阪大院・工)、久保英人(阪大・工)、西野吉則(理研)、山内和人(阪大院・工)、石川哲也(理研)、松原英一郎(京大院・工)
G-P26-M 蛍光Ｘ線強度の角度分布を用いた薄膜中不純物元素の深さ方向分析 ○小林俊一（筑波大院・数理）、桜井健次（物材機構）
G-P27 微小角入射Ｘ線回折による粗い表面近傍層歪分布の深さ方向解析 〇藤居義和（神戸大）
G-P28 J-PARCの大強度中性子源に設置予定の偏極中性子反射率計の概要 ○武田全康（原子力機構・量子ビーム）、山崎大、曽山和彦（原子力機構・J-PARCセンター）、平野辰巳（日立製作所・日立研）
G-P29-G SAGA-LS BL15におけるX線反射率測定 ○隅谷和嗣、石地耕太郎、岡島敏浩、平井康晴(SAGA-LS)、上田和浩、米山明男(日立基礎研)