界面ナノ電子化学研究会・CROSS合同セミナー開催のご案内
ＣＲＯＳＳ東海と応用物理学会 界面ナノ電子化学研究会の合同セミナーを
７月１５日に下記の要領で開催いたします。
半導体ウェットプロセスに携わっている方だけでなく、固液界面の構造に
御関心をお持ちの皆様に議論に参加して頂きたく、よろしくお願い申し上げます。
参加申し込み方法は界面ナノ電子化学研究会のホームページにあります。
皆様のご参加お待ちいたしております。
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先端半導体デバイスは構造の微細化および電⼦材料の多様化が急速に進んでおり，半導体製造に⽤いられるウェットプロセス技術の開発には，固体／液体界⾯における現象をナノレベルで理解することが必要となっています．近年進展著しい中性⼦解析技術は，電⼦材料表⾯や洗浄媒体の挙動を明らかにし，次世代ウェットプロセス技術の開発に結び付く知⾒が得られると期待されます．本セミナーでは中性⼦解析の基礎および最先端の成果を紹介し，ウェットプロセス技術開発への活⽤について議論する場を提供します．
主催： 界⾯ナノ電⼦化学研究会(INE)
総合科学研究機構中性⼦科学センター(CROSS東海)
協賛： 埋もれた界⾯のX線・中性⼦解析研究会
中性⼦産業利⽤推進協議会
⽇時： 2016年7⽉15⽇(⾦)13:00〜17:10
場所： 関東化学株式会社本社
〒103-0022 東京都中央区⽇本橋室町2-2-1 室町東三井ビルディング19F
《交通》銀座線・半蔵⾨線三越前駅A6出⼝直結
総武線新⽇本橋駅A6出⼝直結
《地図》http://www.kanto.co.jp/corp/pdf/honsya.pdf
参加費： 無料
定員： 50名
プログラム：
13:00〜13:05 開会挨拶
13:05〜13:35 ＜チュートリアル＞中性⼦反射率法の原理
⼭⽥悟史(KEK)
13:35〜14:35 ＜招待講演＞リン脂質⼆分⼦膜中の⽔のダイナミクス
⼭⽥武(CROSS東海)
14:35〜14:50 休憩
14:50〜15:50 ＜招待講演＞中性⼦反射率法による固体/液体界⾯の構造解析
川⼝⼤輔(九⼤)
15:50〜16:50
＜招待講演＞放射光・中性⼦を⽤いたシリコン表⾯・界⾯構造解析の現状と将来展望
⽮代航(東北⼤)
16:50〜17:10 総合討論
17:10〜17:15 閉会挨拶
17:30〜19:30 懇親会
■懇親会：
セミナー終了後懇親会を開催します．意⾒交換，交流の場として是⾮ご参加ください．
