2010年11月24日

2011 春シンポジウム

来年3月、春の応用物理学会(神奈川工科大学)の折、SPring-8 ソフト界面科
学研究会とのジョイントでシンポジウムを企画する件、最近、詳細を確定させ、
申し込みを完了しましたので、お知らせいたします。

シンポジウム主題  「X線・放射光による埋もれた界面の構造計測」
開催希望日     2011年3月25日または3月26日
内容説明
ナノサイエンス・ナノテクノロジーの研究開発においては、物質によって覆われ
た「埋もれた界面」の原子配列や分子レベルの構造を解明する必要がある。こう
した研究対象を非破壊、かつ定量的に解析するには、斜入射配置で用いる表面・
界面敏感なX線技術(X線反射率法、X線回折法、XAFS法、GISAXS法
等)の活用が有効である。最近、高輝度シンクロトロン放射光源等の先端研究施
設を用いることにより、これらの構造計測の技術はいっそう発展し、半導体・電
子材料からソフトマテリアルまで多くの対象に研究の裾野が広がっている。本シ
ンポジウムは、SPring-8 ソフト界面科学研究会と応用物理学会埋もれた界面の
X線・中性子解析研究会が共同で企画した。第一線で活躍中の研究グループから
最新の研究状況の報告を受け、今後の課題や方向性を討論する。

プログラム
9:00 ~ 9:20 イントロダクトリートーク:X線を利用したソフト界面科学研究
の現状と将来展望(宇都宮大院工 飯村兼一)
9:20 ~10:00 シンクロトロンX線 反射率測定による液/液界面ギブズ膜の構
造解析(九大院理 瀧上隆智)
10:00 ~ 10:40 薄膜・ナノ粒子/Si系の物性とX線反射率法による構造解析
(福岡大理 香野 淳)
10:40 ~ 11:00 休憩
11:00 ~ 11:40 ソフト界面に存在する溶存イオンの局所構造(東工大院理工
原田 誠)
11:40 ~ 12:20 GaN系半導体の成長温度における実験室系X線反射率測定(名
大院工 竹田美和)
12:20 ~ 13:30 昼食
13:30 ~ 14:10 イオン液体界面におけるイオン多層構造のX線反射率測定によ
る検出(京大院工 西直哉)
14:10 ~ 14:50 極端に非対称なX線回折法による半導体表面界面の格子ひずみ
解析(名大院工 秋本晃一)
14:50 ~ 15:10 休憩
15:10 ~ 15:50 X線反射率法による水面高分子電解質ブラシ形成機構の解析
(京大院工 松岡秀樹)
15:50 ~ 16:30 固液界面における水の微視的構造とダイナミクス:分子シミュ
レーションからのアプローチ(東北大 赤木和人)
16:30 ~ 16:50 サマリートーク: X線・放射光による埋もれた界面の構造計
測の今後の課題と展望(物材機構 桜井健次)